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晶湛半导体发布Full Color GaN®全彩系列LED产品并打破300mm壁垒 2022-04-08
2022年4月8日，苏州晶湛半导体有限公司今日发布了其面向微显示产业应用的Full Color GaN®全彩系列外延片产品，并将LED外延片尺寸成功拓展至300mm。
氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元战略融资 2022-3-3
(2022年3月1日，苏州) 近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。
晶湛半导体总部大楼正式奠基 2021-12-2
2021年12月2日上午，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州工业园区纳米城正式举行
晶湛半导体成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术 2021-9-23
2021年9月23日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办
10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪录 2021-6-10
美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。
苏州晶湛半导体发布新型多沟道异质结构外延片产品，提高电力电子系统的转化效率 2021-4-21
2021年4月21日，苏州晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片产品，在保持高电子迁移率的同时，将载流子浓度提高了4倍以上
程凯博士应邀参加工业园区科信局举办的“科技创享汇” 2019-3-25
3月25日，由苏州工业园区科技和信息化局主办的“科技创享汇”如期举行
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管 2019-1-30
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流
